先进制程和传统成熟制程实际并没有明确的界定标准，这是随着制程工艺发展不断变化的过程。但从制程工艺的发展情况来看，一般是以28nm为分水岭，来区分先进制程和传统制程。

▲图源：IT之家

半导体工艺发展则出现了两个方向，一个是继续追求先进制程小型化，比如台积电、三星、英特尔、中芯国际，另一个是聚焦特色工艺满足多样化需求，比如华虹半导体、联电、格罗方德、世界先进等。

当下的半导体先进制程领域中，三星、英特尔、台积电三足鼎立，各有千秋。

三星和台积电分别从14nm和16nm制程节点时期引入FinFET（鳍式场效应晶体管）技术，一直沿用到目前最先进的5nm制程。在竞争激烈的3纳米制程工艺方面，三星和台积电的技术路线并不相同，三星首先采用全环绕栅极晶体管（GAA），台积电则是继续采用鳍式场效应晶体管（FinFET）架构。

英特尔的应变硅技术、HKMG技术以及3D FinFET技术，对于全球半导体行业来说都具有着里程碑似的意义。但是从14nm FinFET工艺开始就开始逐渐减速，尤其是在10nm制程工艺期间，耽误了太长时间。

而国产企业中芯国际在2019年突破了14nm的技术，仍将在未来先进制程中角逐。

在先进制程的布局方面，还需要其他技术支持和设备支持。因为随着频率的提升,处理器所产生的热量也会提高,先进的蚀刻技术可以减小晶体管间电阻,让CPU所需的电压降低,从而使功率大幅度减小。而蚀刻工艺——极紫外光刻(EUV),用更小更锋利的“刻刀”来切割出更小的电晶体结构。

关键设备在先进制程上仍未实现突破。目前世界集成电路设备研发水平处于12 英寸7nm，生产水平则已经达到12 英寸14nm；而中国设备研发水平还处于12 英寸14nm，生产水平为12 英寸65-28nm，总的来看国产设备在先进制程上与国内先进水平有2-6 年时间差；具体来看65/55/40/28nm光刻机、40/28nm 的化学机械抛光机国产化率依然为0，28nm化学气相沉积设备、快速退火设备、国产化率很低。

以光刻机为例，ASML是全球唯一有能力制造EUV光刻机的厂商，而面向3nm及更先进的工艺，晶圆厂将需要一种称为高数值孔径（high-NA）EUV的新技术，据ASML年报披露，正在研发的下一代采用high-NA技术光刻机要等到2024年才能量产。我国最先进的光刻机是上海微电子装备的光刻机，最高可制造90纳米工艺的芯片。我国尚未有具备28纳米制程能力的光刻机，主要在于精密光学器件的落后，目前，长春光机所，茂莱光学都在光源领域进行技术研发及探索。一旦光刻机被美国封禁，国内的芯片制造公司将失去14纳米、28纳米等工艺制备能力。

▲ 半导体设备公司掌握先进制程情况  来源：道科创

随着先进节点走向10nm、7nm、5nm，研发生产成本持续走高，良率下降，摩尔定律趋缓，半导体行业逐渐步入后摩尔时代。目前封测行业正在经历从传统封装（SOT、QFN、BGA等）向先进封装（FC、FIWLP、FOWLP、TSV、SiP、3D堆叠等）的转型。

▲图源：拓璞产业研究院

先进封装与传统封装以是否焊线来区分，先进封装主要有倒装芯片(FC)结构的封装、晶圆级封装(WLP)、2.5D封装、3D封装等。分为两个方向——

小型化：3D封装突破传统的平面封装的概念，通过单个封装体内多次堆叠，实现了存储容量的倍增，进而提高芯片面积与封装面积的比值。

高集成：系统级封装SiP能将数字和非数字功能、硅和非硅材料、CMOS和非CMOS电路以及光电、MEMS、生物芯片等器件集成在一个封装内，在不单纯依赖半导体工艺缩小的情况下，提高集成度，以实现终端电子产品的轻薄短小、低功耗等功能，同时降低厂商成本。

先进封装技术不仅可以增加功能、提升产品价值，还有效降低成本，成为延续摩尔定律的关键。作为集成电路产业链不可缺少的一部分，半导体封测得益于对更高集成度的需求，随着5G应用、AI、IoT等新兴领域的驱动，市场规模快速扩大。

我国封测行业整体仍然有望保持高增长，仍然是一个处于不断增长中的增量市场。而且在5G、消费电子、物联网、人工智能和高性能计算等更高集成度的广泛需求下，先进封装是增量主要来源，先进封装市场增速预计将高于传统封装。

为进一步提升集成电路系统性能、降低成本依赖、提升功能密度，SiP（系统级封装）以及 Chiplet 等设计的进步和发展，大大拓展了摩尔定律的演进方式。而Tensun腾盛近年来在SiP先进封装领域深耕产品设备的开发和制程应用，坚持做好精密点胶和精密切割（划片机）两大产品线，与行业大咖们共同商讨先进封测领域的技术创新、市场动态和应用案例，腾盛人也将继承十六年来的永不止步的创新精神，在先进封装领域持续探索。